15千瓦的微波功率维持着氢-甲烷等离子体，该等离子体能够将钼基板载板加热至1000°C以上，因此需要充分的水冷系统。
但是，从矩形波导到同轴线的阻抗匹配转换微波传输线同样需要高效的水冷系统。
该系统共配置6个光学观察窗，可直接观测中心等离子体放电状态——不仅用于目视检查，还可安装红外摄像机，用于监控4英寸基板的热平衡状态。
基板载台
整个基板载台采用电机驱动和PLC控制，用于调节基板与CBR微波发射器之间的距离。除了适用于微晶金刚石层均匀生长的主高度调节系统外，载台内部还配备有更高精度的次级高度调节系统，专为单晶生长设计。
该系统允许将4英寸载台的选定区域按沉积速率下降。下降速率可设定为微米/小时级，确保单晶金刚石的生长表面在长时间内保持恒定的等离子体特性
自动化控制
CBR系统通过西门子PLC和配套人机界面实现全自动化远程操作。单晶金刚石生长过程可持续长达2周。系统能够精确监测等离子体放电的光强，在发生等离子体中断或其他意外故障时自动关机。
用于生长微晶金刚石层的氢-甲烷等离子体
基板载台的大部分区域不与下方水冷铜块直接接触。在给定的工艺压力下，数毫米可调间隙内充满氢气和甲烷，形成气体缓冲热沉，这使得注入微波功率、工艺压力与基板温度之间能够建立灵活的调控关系。
CBR系统专为在4英寸沉积区域实现均匀的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）而设计，适用于单晶金刚石和微晶金刚石层的生长。该系统采用2.45 GHz微波功率（而非915 MHz），并具有极具竞争力的综合使用成本。
CBR
真空等离子体金刚石制备系统
该系统的特殊微波能量传输方式不仅能在4英寸基板区域产生均匀等离子体放电，同时表现出优异的能耗效率。在145百帕压力和820℃温度条件下，4英寸区域微晶金刚石镀层的典型低速生长过程仅需约7千瓦微波功率。
CBR系统可配置为超高真空设备：所有标准法兰连接采用金属密封垫圈，其他大型非标法兰则配备双排聚合物O型圈。操作前可对O型圈与法兰面之间的空腔抽真空，运行期间则可充入惰性气体。
PECVD - NCS 12 / NCS 48
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PVD - NMS 250 / NMS-BM 270
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